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標(biāo)題: QFN4x4-16L封裝的芯片，殼溫和結(jié)溫相差多少℃？ [打印本頁]

作者: 一羊遷徙_a 時(shí)間: 2024-9-3 13:37
標(biāo)題: QFN4x4-16L封裝的芯片，殼溫和結(jié)溫相差多少℃？
一款QFN4x4-16L封裝的芯片，是MOSFET，芯片外表面溫度能測(cè)得（殼溫），請(qǐng)問：結(jié)溫怎么推算？
結(jié)溫和殼溫的差距一般多少度？

作者: hfbay 時(shí)間: 2024-9-3 13:48
結(jié)溫（Junction Temperature，簡稱Tj）是指半導(dǎo)體器件內(nèi)部半導(dǎo)體材料的熱結(jié)點(diǎn)溫度，也就是器件中最熱點(diǎn)的溫度。在電子設(shè)備中，結(jié)溫是衡量器件工作溫度的重要參數(shù)，因?yàn)樗苯雨P(guān)系到器件的可靠性和壽命。結(jié)溫過高可能會(huì)導(dǎo)致器件性能下降，甚至損壞。

殼溫（Case Temperature，簡稱Tc）是指半導(dǎo)體器件外殼的溫度，也就是器件外部可以觸摸到的部分的溫度。殼溫通常比結(jié)溫要低，因?yàn)樗艿狡骷釛l件的影響。

在實(shí)際應(yīng)用中，結(jié)溫和殼溫之間的差異（ΔTjc = Tj - Tc）是評(píng)估器件散熱性能的重要指標(biāo)。這個(gè)差異的大小取決于器件的熱阻（Thermal Resistance），熱阻越小，結(jié)溫和殼溫之間的差異就越小，器件的散熱性能就越好。

對(duì)于QFN4x4-16L封裝的MOSFET芯片，結(jié)溫和殼溫之間的具體差異需要根據(jù)具體的器件型號(hào)、使用條件以及散熱設(shè)計(jì)來確定。通常，這個(gè)差異可以通過熱仿真軟件計(jì)算得出，或者通過實(shí)驗(yàn)測(cè)量得到。如果沒有具體的數(shù)據(jù)，可以查閱器件的數(shù)據(jù)手冊(cè)，里面通常會(huì)給出一個(gè)大致的熱阻值，從而估算出結(jié)溫和殼溫之間的差異。

來自AI（kimi）

作者: 一羊遷徙_a 時(shí)間: 2024-9-3 14:00
謝謝二樓，我問了度娘，也是類似的回答。
我其實(shí)想知道，有沒有哪位大佬有這方面的實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)，QFN封裝的小芯片，殼溫、結(jié)溫的差距有多少度

作者: DianGongN 時(shí)間: 2024-9-3 14:54
看廠家數(shù)據(jù)手冊(cè)，測(cè)量殼溫，用紅外測(cè)溫槍，封裝涂黑。計(jì)算結(jié)溫

作者: 學(xué)者11 時(shí)間: 2024-9-3 16:13
[attach]566256[/attach]
找一個(gè)有智商的AI
利用MOSFET內(nèi)部的寄生二極管（如果存在的話）或者柵源間電壓(Vgs)的變化來估計(jì)結(jié)溫。隨著溫度上升，二極管的正向電壓會(huì)下降，而Vgs也會(huì)有所變化，這些都可以作為溫度變化的指標(biāo)。不過這種方法同樣需要專門的設(shè)計(jì)和測(cè)試設(shè)備。

作者: 學(xué)渣渣 時(shí)間: 2024-9-3 23:45
QFN4x4-16L，，，這芯片型號(hào)是啥？

作者: 一羊遷徙_a 時(shí)間: 2024-9-4 13:22

學(xué)渣渣發(fā)表于 2024-9-3 23:45
: D l1 S. ?2 A* z' M3 `) [QFN4x4-16L，，，這芯片型號(hào)是啥？

芯片型號(hào)是 SLM6803

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