一、化合物半導(dǎo)體：射頻應(yīng)用前景廣闊 化合物半導(dǎo)體在通訊射頻領(lǐng)域主要用于功率放大器、射頻開(kāi)關(guān)、濾波器等器件中。砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）半導(dǎo)體分別作為第二代和第三代半導(dǎo)體的代表，相比第一代半導(dǎo)體高頻性能、高溫性能優(yōu)異很多，制造成本更為高昂，可謂是半導(dǎo)體中的新貴。
▲不同化合物半導(dǎo)體應(yīng)用領(lǐng)域
三大化合物半導(dǎo)體材料中，GaAs占大頭，主要用于通訊領(lǐng)域，全球市場(chǎng)容量接近百億美元，主要受益通信射頻芯片尤其是PA升級(jí)驅(qū)動(dòng)；GaN大功率、高頻性能更出色，主要應(yīng)用于軍事領(lǐng)域，目前市場(chǎng)容量不到10億美元，隨著成本下降有望迎來(lái)廣泛應(yīng)用；SiC主要作為高功率半導(dǎo)體材料應(yīng)用于汽車(chē)以及工業(yè)電力電子，在大功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中具有巨大的優(yōu)勢(shì)。
▲化合物半導(dǎo)體材料性能更為優(yōu)異
砷化鎵 相較于第一代硅半導(dǎo)體，砷化鎵具有高頻、抗輻射、耐高溫的特性，因此廣泛應(yīng)用在主流的商用無(wú)線通信、光通訊以及國(guó)防軍工用途上。無(wú)線通信的普及與硅在高頻特性上的限制共同催生砷化鎵材料脫穎而出，在無(wú)線通訊領(lǐng)域得到大規(guī)模應(yīng)用。
基帶和射頻模塊是完成3/4/5G蜂窩通訊功能的核心部件。射頻模塊一般由收發(fā)器和前端模組（PA、Switch、Filter）組成。其中砷化鎵目前已經(jīng)成為PA和Switch的主流材料。
4G/5G頻段持續(xù)提升，驅(qū)動(dòng)PA用量增長(zhǎng)。由于單顆PA芯片僅能處理固定頻段的信號(hào)，所以蜂窩通訊頻段的增加會(huì)顯著提升智能手機(jī)單機(jī)PA消耗量。隨著4G通訊的普及，移動(dòng)通訊的頻段由2010年的6個(gè)急速擴(kuò)張到43個(gè)，5G時(shí)代更有有望提升至60以上。目前主流4G通信采用5頻13模，平均使用7顆PA，4個(gè)射頻開(kāi)關(guān)器。
資料來(lái)源：QORVO，國(guó)盛證券研究所 ▲PA價(jià)值量明顯受益4G發(fā)展趨勢(shì)
從Yole Development等第三方研究機(jī)構(gòu)估算來(lái)看，2017年全球用于PA的GaAs 器件市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到80-90億美元，大部分的市場(chǎng)份額集中于Skyworks、Qorvo、Avago 三大巨頭。預(yù)計(jì)隨著通信升級(jí)未來(lái)兩年有望正式超過(guò)100億美元。
同時(shí)應(yīng)用市場(chǎng)決定無(wú)需60 nm線寬以下先進(jìn)制程工藝，不追求最先進(jìn)制程工藝是另外一個(gè)特點(diǎn)?；衔锇雽?dǎo)體面向射頻、高電壓大功率、光電子等領(lǐng)域，無(wú)需先進(jìn)工藝。GaAs和GaN器件以0.13、0.18μm以上工藝為主。Qorvo正在進(jìn)行90nm工藝研發(fā)。此外由于受GaAs和SiC襯底尺寸限制，目前生產(chǎn)線基本全為4英寸和6英寸。以Qorvo為例，我們統(tǒng)計(jì)下來(lái)氮化鎵制程基本線寬在0.25-0.50um，生產(chǎn)線以4英寸為主。
資料來(lái)源：qorvo，國(guó)盛證券研究所 ▲Qorvo氮化鎵射頻器件工藝制程
氮化鎵： 氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)并稱(chēng)為第三代半導(dǎo)體材料的雙雄，由于性能不同，二者的應(yīng)用領(lǐng)域也不相同。由于氮化鎵具有禁帶寬度大、擊穿電場(chǎng)高、飽和電子速率大、熱導(dǎo)率高、化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定和抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，成為高溫、高頻、大功率微波器件的首選材料之一。
資料來(lái)源：英飛凌，國(guó)盛證券研究所 ▲GaN HEMT禁帶寬度表現(xiàn)優(yōu)異
目前氮化鎵器件有三分之二應(yīng)用于軍工電子，如軍事通訊、電子干擾、雷達(dá)等領(lǐng)域；在民用領(lǐng)域，氮化鎵主要被應(yīng)用于通訊基站、功率器件等領(lǐng)域。氮化鎵基站PA的功放效率較其他材料更高，因而能節(jié)省大量電能，且其可以幾乎覆蓋無(wú)線通訊的所有頻段，功率密度大，能夠減少基站體積和質(zhì)量。 資料來(lái)源：RFMD，國(guó)盛證券研究所 ▲GaN較GaAs大幅減少體積
氮化鎵射頻器件高速成長(zhǎng)，復(fù)合增速23%，下游市場(chǎng)結(jié)構(gòu)整體保持穩(wěn)定。研究機(jī)構(gòu)YoleDevelopment數(shù)據(jù)顯示，2017年氮化鎵射頻市場(chǎng)規(guī)模為3.8億美元，將于2023年增長(zhǎng)至13億美元，復(fù)合增速為22.9%。下游應(yīng)用結(jié)構(gòu)整體保持穩(wěn)定，以通訊與軍工為主，二者合計(jì)占比約為80%。 資料來(lái)源：Yole、國(guó)盛證券研究所 ▲氮化鎵射頻器件下游結(jié)構(gòu)
基站建設(shè)將是氮化鎵市場(chǎng)成長(zhǎng)的主要驅(qū)動(dòng)力之一。Yoledevelopment數(shù)據(jù)顯示，2018年，基站端氮化鎵射頻器件市場(chǎng)規(guī)模不足2億美元，預(yù)計(jì)到2023年，基站端氮化鎵市場(chǎng)規(guī)模將超5億美元。氮化鎵射頻器件市場(chǎng)整體將保持23%的復(fù)合增速，2023年市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)13億美元。
資料來(lái)源：Yole、國(guó)盛證券研究所 ▲氮化鎵射頻器件市場(chǎng)結(jié)構(gòu)
氮化鎵將占射頻器件市場(chǎng)半壁江山。在射頻器件領(lǐng)域，目前LDMOS（橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體）、GaAs（砷化鎵）、GaN（氮化鎵）三者占比相差不大，但據(jù)Yoledevelopment預(yù)測(cè)，至2025年，砷化鎵市場(chǎng)份額基本維持不變的情況下，氮化鎵有望替代大部分LDMOS份額，占據(jù)射頻器件市場(chǎng)約50%的份額。
▲射頻器件市場(chǎng)結(jié)構(gòu)
2、FPGA：賽靈思預(yù)計(jì)5G有望帶來(lái)3~4倍相關(guān)收入 隨著目前5G時(shí)代的進(jìn)展以及AI的推進(jìn)速度，MRFR預(yù)測(cè)FPGA在2025年有望達(dá)到約125.21億美元。在2013年全球FPGA的市場(chǎng)規(guī)模在45.63億美元，至2018年全球FPGA的市場(chǎng)規(guī)模緩步增長(zhǎng)至63.35億美元。
▲FPGA全球市場(chǎng)規(guī)模（百萬(wàn)美元）
對(duì)于全球FPGA的市場(chǎng)分布而言，MRFR統(tǒng)計(jì)對(duì)于FPGA的下游應(yīng)用地區(qū)分布而言，目前最大的為亞太地區(qū)，占比39.15%，北美占比33.94%，歐洲占比19.42%；而至2025年，亞太地區(qū)的占比將會(huì)繼續(xù)的提高至43.94%，此間原因也主要因?yàn)橄掠螒?yīng)用市場(chǎng)在未來(lái)的主要增長(zhǎng)大部分集中在亞太地區(qū)。 ▲2018市場(chǎng)按地區(qū)分布
▲2025E市場(chǎng)按地區(qū)分布
FPGA龍頭Xilinx在5月召開(kāi)的投資者會(huì)議中表示，5G將帶來(lái)1.5倍的基站數(shù)量、2倍的硅含量、1.3倍的市場(chǎng)份額，預(yù)計(jì)將使賽靈思有線及無(wú)線事業(yè)群機(jī)會(huì)收入提高至4G時(shí)代的3至4倍。 ▲賽靈思預(yù)計(jì)5G時(shí)代收入
3、存儲(chǔ)：5G大幅催生數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求！ 5G支持下的AI、物聯(lián)網(wǎng)、智能駕駛，從人產(chǎn)生數(shù)據(jù)到接入設(shè)備自動(dòng)產(chǎn)生數(shù)據(jù)，數(shù)據(jù)呈指數(shù)級(jí)別增長(zhǎng)！智能駕駛智能安防對(duì)數(shù)據(jù)樣本進(jìn)行訓(xùn)練推斷、物聯(lián)網(wǎng)對(duì)感應(yīng)數(shù)據(jù)進(jìn)行處理等大幅催生內(nèi)存性能與存儲(chǔ)需求，數(shù)據(jù)為王！
所有數(shù)據(jù)都需要采集、存儲(chǔ)、計(jì)算、傳輸，存儲(chǔ)器比重有望持續(xù)提升。同時(shí)傳感器、微處理器（MCU/AP）、通信（RF、光通訊）環(huán)節(jié)也將直接受益。存儲(chǔ)器芯片是推動(dòng)半導(dǎo)體集成電路芯片行業(yè)上行的主要抓手，密切關(guān)注大陸由特殊、利基型存儲(chǔ)器向先進(jìn)存儲(chǔ)有效積累、快速發(fā)展進(jìn)程。
存儲(chǔ)器占半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模增量70%以上。從全球集成電路市場(chǎng)結(jié)構(gòu)來(lái)看，全球半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)組織預(yù)計(jì)2018年全球集成電路市場(chǎng)規(guī)模達(dá)4015.81億美元，相較于2016年增長(zhǎng)了1249億美元。而存儲(chǔ)器18年市場(chǎng)規(guī)模達(dá)1651.10億美元，相較2016年增長(zhǎng)了883億美元，占增量比重達(dá)71% ▲全球半導(dǎo)體市場(chǎng)結(jié)構(gòu)（百萬(wàn)美元）
4、天線：5G背景下迎來(lái)高速成長(zhǎng)機(jī)遇 基站端： MassiveMIMO趨勢(shì)下，單個(gè)基站天線數(shù)目將大幅增長(zhǎng)?？紤]到輕量化、集成化需求，未來(lái)5G天線振子工藝上，塑料振子將成為主流。同時(shí)，以目前64通道方案來(lái)看，單面需集成192個(gè)振子，目前振子價(jià)格約為1美元左右，2019年國(guó)內(nèi)5G宏站振子市場(chǎng)規(guī)模約為3~4億元，考慮逐年調(diào)價(jià)的情況下，2022年有望達(dá)20億元，CAGR達(dá)70%以上。 ▲基站天線演變歷程
▲塑料振子
▲5G陣列天線架構(gòu)
天線有源化將大幅提升天線價(jià)值。傳統(tǒng)無(wú)源天線，天線與RRU采用分離模式，而5G時(shí)代，隨著頻率增加、波長(zhǎng)減小，為減小饋線損耗，將采用射頻模塊與天線一體化的設(shè)計(jì)方案，即AAU。隨著射頻模塊的集成，AAU天線整機(jī)價(jià)格相較無(wú)源天線將由大幅度的增長(zhǎng)。 ▲射頻模塊與天線一體化
終端： 手機(jī)天線生產(chǎn)工藝經(jīng)歷了從“彈片天線——FPC天線——LDS天線”的演變過(guò)程。2013年以前，單機(jī)天線數(shù)量較少，包括通信主天線、無(wú)線、收音機(jī)、GPS、藍(lán)牙等，此后隨著智能手機(jī)功能的延展，單機(jī)的天線數(shù)量可以達(dá)到10個(gè)以上，按用途分大致可分為通訊天線、WiFi天線及NFC天線三種天線模組。 ▲不同天線類(lèi)型對(duì)比
▲天線模組對(duì)比
高通已宣布推出全球首款面向智能手機(jī)和其他移動(dòng)終端的全集成5G新空口毫米波及6GHz以下射頻模組，即QTM052毫米波天線模組系列和QPM56xx 6GHz以下射頻模組系列。QTM 052內(nèi)置四個(gè)天線組成的微小陣列，體積極小，初期售價(jià)為十?dāng)?shù)美元，如單個(gè)手機(jī)使用4個(gè)天線模組，即使考慮到規(guī)模化、成熟化之后價(jià)格下降，單機(jī)價(jià)值量也將較傳統(tǒng)天線有較大幅度的提高。 ▲高通QTM052天線模組與高通X50調(diào)制調(diào)解器
5、濾波器：預(yù)計(jì)復(fù)合增速有望近20% 5G來(lái)臨，SAW濾波器需求增長(zhǎng)。隨著2G 到4G 的發(fā)展，手機(jī)上的頻段也越來(lái)越多，現(xiàn)在在移動(dòng)通信中所使用的頻段數(shù)量已經(jīng)從2000年初的4個(gè)頻段大幅增加到今天的30多個(gè)頻段。而且隨著5G的到來(lái)這個(gè)數(shù)字會(huì)進(jìn)一步上升，所使用的濾波器數(shù)量也會(huì)隨之增加。高通預(yù)計(jì)2020 年濾波器的單機(jī)用量有望接近100 只。 ▲射頻器件價(jià)值量（美元）
濾波器類(lèi)型很多，包括多層陶瓷濾波器、單體式陶瓷濾波器、聲學(xué)濾波器、空腔濾波器等。在智能手機(jī)射頻前端領(lǐng)域，主要用SAW（聲表面波）濾波器和BAW（體聲波）濾波器。SAW是在壓電基片材料表面產(chǎn)生并傳播，且振幅隨著深入基片材料的深度增加而迅速減少的一種彈性波。相比SAW filter，BAW filter更適合于高頻率。BAW filter有對(duì)溫度變化不敏感，插入損耗小，帶外衰減大等優(yōu)點(diǎn)。與SAW filter不同，聲波在BAW filter里是垂直傳播。 ▲SAW原理
▲B(niǎo)AW原理
根據(jù)Yole Development的報(bào)告數(shù)據(jù)，2017年全球射頻前端市場(chǎng)達(dá)到150 億美元，其中濾波器占80 億美元。2022年預(yù)計(jì)射頻前端市場(chǎng)有望達(dá)到228億美元，而濾波器市場(chǎng)成長(zhǎng)最快，CAGR 約為19%。 ▲全球射頻前端市場(chǎng)空間
目前全球射頻前端市場(chǎng)集中度較高，前四大廠商Skyworks、Qorvo、Avago、Murata占據(jù)著全球85%的市場(chǎng)，且均是日美發(fā)達(dá)國(guó)家企業(yè)，而這也意味著國(guó)產(chǎn)射頻企業(yè)的成長(zhǎng)空間巨大。目前國(guó)內(nèi)主要參與SAW 濾波器行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)的國(guó)內(nèi)廠家有：麥捷科技（中電26 所）、信維通信（德清華瑩、中電55 所）、無(wú)錫好達(dá)電子、三安光電等。 ▲SAW市場(chǎng)份額
▲B(niǎo)AW市場(chǎng)份額
▲國(guó)內(nèi)的SAW廠商
6、PCB及CCL 在5G的時(shí)代之下，作為通信設(shè)備的原材料PCB也是被影響的最多之一的： 1. 因需求致使單價(jià)提高：由于5G使用的是Sub6G以及毫米波頻段，對(duì)PCB承載高頻頻段以及高速傳輸數(shù)據(jù)的性質(zhì)較過(guò)往有著質(zhì)的提高，也就帶動(dòng)了高端PCB板的價(jià)格上升。 2. 因結(jié)構(gòu)致使面積增加：同時(shí)由于5G頻段的大幅增加，MassiveMIMO結(jié)構(gòu)的應(yīng)用使得PCB上的元器件數(shù)量激增，也直接導(dǎo)致了PCB的面積擴(kuò)大。 3. 因頻道致使數(shù)量激增：再到5G基站的數(shù)量上，較為常見(jiàn)的5G頻道由于頻率為4G的兩倍，即從物理學(xué)概念而言相同情況下5G頻道所能覆蓋的范圍僅為4G頻道覆蓋范圍的1/4，這也意味著5G基站所需將會(huì)是4G基站的4倍。但由于目前技術(shù)提高所致的高功率以及多天線設(shè)計(jì)，5G基站根據(jù)中國(guó)產(chǎn)業(yè)信息網(wǎng)預(yù)測(cè)所需要的數(shù)量可能會(huì)是4G基站的1.1~1.5倍。
單價(jià)、使用面積、使用數(shù)量，這三者均因?yàn)?G的到來(lái)而帶動(dòng)PCB產(chǎn)業(yè)的升溫。而我們也將在下文具體分析各自原因。
5G建設(shè)之：起量 5G由于需要提供更快的傳輸速度（4G網(wǎng)絡(luò)的40倍），所使用的頻率將向高頻率頻道轉(zhuǎn)移，從而無(wú)法避免的會(huì)將其信號(hào)的衍射能力（即繞過(guò)障礙物的能力）降低，而想要將其解決的辦法即使：增建更多基站以增加覆蓋。
較為常見(jiàn)的5G頻道由于頻率為4G的兩倍，即從物理學(xué)概念而言相同情況下5G頻道所能覆蓋的范圍僅為4G頻道覆蓋范圍的1/4，這也意味著5G基站所需將會(huì)是4G基站的4倍。但由于目前技術(shù)提高所致的高功率以及多天線設(shè)計(jì)，5G基站根據(jù)中國(guó)產(chǎn)業(yè)信息網(wǎng)預(yù)測(cè)所需要的數(shù)量可能會(huì)是4G基站的1.1~1.5倍。
根據(jù)賽迪顧問(wèn)的預(yù)測(cè)數(shù)據(jù)顯示，5G宏基站的數(shù)量在2026年預(yù)計(jì)將達(dá)到475萬(wàn)個(gè)，是2017年底4G基站328萬(wàn)個(gè)的1.45倍左右，配套的小基站數(shù)量約為宏基站的2倍，約為950萬(wàn)個(gè)，總共基站數(shù)量約為1425萬(wàn)個(gè)。PCB是基站建設(shè)中不可缺少的電子材料，如此龐大的基站量，將會(huì)產(chǎn)生巨大的PCB增量空間。 ▲宏基站
▲微基站
隨著5G的推廣，從5G的建設(shè)需求來(lái)看，5G將會(huì)采取"宏站加小站"組網(wǎng)覆蓋的模式，歷次基站的升級(jí)，都會(huì)帶來(lái)一輪原有基站改造和新基站建設(shè)潮。2017年我國(guó)4G廣覆蓋階段基本結(jié)束，4G宏基站達(dá)到328萬(wàn)個(gè)。根據(jù)賽迪顧問(wèn)預(yù)測(cè)，5G宏基站總數(shù)量將會(huì)是4G宏基站1.1~1.5倍，對(duì)應(yīng)360萬(wàn)至492萬(wàn)5G宏基站。 ▲宏基站年建設(shè)數(shù)量預(yù)測(cè)
于此同時(shí)在小站方面，毫米波高頻段的小站覆蓋范圍是10~20m，應(yīng)用于熱點(diǎn)區(qū)域或更高容量業(yè)務(wù)場(chǎng)景，其數(shù)量保守估計(jì)將是宏站的2倍，由此我們預(yù)計(jì)5G小站將達(dá)到950萬(wàn)個(gè)。
從下游終端市場(chǎng)來(lái)看，5G的出現(xiàn)將極大的改變?nèi)藗兊纳罘绞?，?shí)現(xiàn)4K+超高清視頻觀看、在線AR/VR、云辦公、云游戲等全新體驗(yàn)，5G的出現(xiàn)對(duì)各行業(yè)都有重要影響，更是會(huì)再次點(diǎn)燃通信市場(chǎng)，通信用PCB將會(huì)出現(xiàn)巨大增量市場(chǎng)。 ▲通信領(lǐng)域各環(huán)節(jié)所使用的PCB說(shuō)明
5G建設(shè)之：高價(jià) 在前文我們所寫(xiě)的從物理角度上而言5G的傳輸面積僅為4G的1/4，但因?yàn)榧夹g(shù)的提高，目前5G所需覆蓋4G同區(qū)域理論而言為1.1~1.5倍。而其根本的技術(shù)改變?cè)醋杂诙喾矫?，其中即包括了結(jié)構(gòu)改變以及材料改變這兩種，而他們也就直接導(dǎo)致了5G用PCB板的價(jià)格提升。
結(jié)構(gòu)改變：RRU+天線=AAU，PCB用量提高。從5G宏基站的結(jié)構(gòu)方式來(lái)看，5G宏基站的結(jié)構(gòu)方式與4G基站相比發(fā)生了巨大變化。 ▲5G基站BBU拆分為CU和DU
▲Massive MIMO及RRU合并示意圖
4G基站分為三部分：分別是BBU（基帶處理單元）、RRU（射頻拉遠(yuǎn)單元）、天饋系統(tǒng)，RRU和天線之前通過(guò)饋線連接。
5G宏基站則將將天線和RRU集合為AAU（有源天線單元），配以CU(集中單元)、DU（分布單元）最終形成5G宏基站架構(gòu)。AAU射頻板要在很小的空間內(nèi)集成更多地電子元件，同時(shí)需要滿足隔離要求，此時(shí)天線和RRU的集成位AAU的過(guò)程中就需要采用更多層的PCB板材，由此增加了單個(gè)宏基站的PCB使用量。 ▲5G宏基站與4G基站PCB價(jià)值量測(cè)算
根據(jù)我們進(jìn)行的產(chǎn)業(yè)鏈調(diào)研及測(cè)算，在單個(gè)4G基站內(nèi)所使用的PCB板材總量約為0.294平方米，而在5G宏基站內(nèi)所使用的量根據(jù)測(cè)算約為0.513平方米。從量級(jí)上5G宏基站所使用的PCB將會(huì)是4G基站所使用的不到一倍。
5G基站用PCB要求之高直接致使PCB價(jià)格上漲。由于5G建設(shè)使用的是高頻高速等高性能PCB板，較之4G所使用材料來(lái)說(shuō)在價(jià)值量上有大幅提升。高端PCB板材與低端板材價(jià)值量差異巨大，僅僅考慮原材料之一的覆銅板而言，低端基材與高端之間都有數(shù)倍的差異。 ▲天線陣列演化需要使用更多高頻材料
▲不同種類(lèi)覆銅板價(jià)格差異
此外，5G大規(guī)模使用MIMO技術(shù)以實(shí)現(xiàn)海量信號(hào)的高效傳輸，4G基站天線陣列單元通常小于等于8個(gè)，由于5G大規(guī)模使用MIMO技術(shù)，天線陣列單元普遍達(dá)到了64/128個(gè)左右，天線單元之間也是通過(guò)高頻PCB進(jìn)行集合，由此產(chǎn)生疊加增量空間。 ▲5G天線陣子集成
從信道帶寬來(lái)看，5G信道的增寬也使得基站所用的單片PCB面積有所擴(kuò)大，進(jìn)一步增加了5G基站的PCB使用面積。
5G建設(shè)之：高壁壘 國(guó)內(nèi)PCB行業(yè)集中度不高，往期市場(chǎng)紅利都是由眾多廠商共同分享，但此次的5G建設(shè)帶來(lái)的市場(chǎng)紅利卻只會(huì)由龍頭廠商獨(dú)享。5G時(shí)代不同于4G，在5G時(shí)代中，使用“高頻+低頻”的組合頻道模式，具有“連續(xù)廣域覆蓋”、“高容量”“低延時(shí)”等特點(diǎn)，由于高頻頻率的引入，5G建設(shè)所使用的板材必須是高端的高頻高速PCB板，生產(chǎn)具有較大的技術(shù)壁壘，僅有少部分龍頭廠商具備規(guī)模化生產(chǎn)能力。
PCB板材中，介電常數(shù)Dk、介質(zhì)損耗Df、導(dǎo)體表面粗糙程度對(duì)板材性能影響重大，高頻高速PCB板必須保證以下三點(diǎn)： 1. 實(shí)現(xiàn)高速傳輸必須保證較低的介電常數(shù)； 2. 高頻信號(hào)的傳輸具有較高的損耗，因此必須保證介質(zhì)損耗處于低位； 3. 導(dǎo)體表面的粗糙程度會(huì)對(duì)信號(hào)的傳輸會(huì)產(chǎn)生趨膚相應(yīng)，趨膚效應(yīng)越強(qiáng)，信號(hào)傳輸影響越大。 因此，高頻高速板材須使得導(dǎo)體表面較為光滑。 ▲介質(zhì)損耗與速率反相關(guān)（左）、以及趨膚深度與頻率（右）
▲趨膚效應(yīng)示例
除此之外，要使得PCB板更好傳輸高頻信號(hào)，對(duì)熱膨脹系數(shù)、吸水性、耐熱性、抗化學(xué)性等物理性能也有較高要求。 ▲高性能PCB板要求
高端PCB板材的優(yōu)良特性也造成了極高的加工難度，提升了行業(yè)的技術(shù)壁壘，不具備高端PCB生產(chǎn)技術(shù)的小廠商將逐步被淘汰出核心圈，而國(guó)內(nèi)具有較高技術(shù)能力的大廠商將會(huì)獨(dú)享5G盛宴。本圖文來(lái)源：ittbank
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發(fā)表于 2019-7-1 16:32:20
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