研制成功！中子探測(cè)器關(guān)鍵技術(shù)實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化

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近日，中國(guó)散裂中子源（CSNS）探測(cè)器團(tuán)隊(duì)利用自主研制的磁控濺射大面積鍍硼專用裝置，成功制備出滿足中子探測(cè)器需求的高性能大面積碳化硼薄膜樣品，單片面積達(dá)到1500mm×500mm，薄膜厚度1微米，全尺寸范圍內(nèi)厚度均勻性優(yōu)于±1.32%，是目前國(guó)際上用于中子探測(cè)的最大面積的碳化硼薄膜。

高性能大面積碳化硼薄膜樣品。受訪單位供圖。

據(jù)了解，經(jīng)過(guò)多年技術(shù)攻關(guān)和工藝試制，團(tuán)隊(duì)攻克了濺射靶材制作、過(guò)渡層選擇、基材表面處理等對(duì)鍍膜質(zhì)量影響大的關(guān)鍵技術(shù)，利用該裝置制備了多種規(guī)格的碳化硼薄膜，并成功應(yīng)用于CSNS多臺(tái)中子譜儀上的陶瓷GEM中子探測(cè)器，實(shí)現(xiàn)了中子探測(cè)器關(guān)鍵技術(shù)和器件的國(guó)產(chǎn)化，為接下來(lái)研制更大面積的高性能新型中子探測(cè)器提供了強(qiáng)有力的技術(shù)支撐。