QFN4x4-16L封裝的芯片，殼溫和結(jié)溫相差多少℃？

一羊遷徙_a

一款QFN4x4-16L封裝的芯片，是MOSFET，芯片外表面溫度能測得（殼溫），請問：結(jié)溫怎么推算？
結(jié)溫和殼溫的差距一般多少度？
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hfbay

結(jié)溫（Junction Temperature，簡稱Tj）是指半導(dǎo)體器件內(nèi)部半導(dǎo)體材料的熱結(jié)點溫度，也就是器件中最熱點的溫度。在電子設(shè)備中，結(jié)溫是衡量器件工作溫度的重要參數(shù)，因為它直接關(guān)系到器件的可靠性和壽命。結(jié)溫過高可能會導(dǎo)致器件性能下降，甚至損壞。

殼溫（Case Temperature，簡稱Tc）是指半導(dǎo)體器件外殼的溫度，也就是器件外部可以觸摸到的部分的溫度。殼溫通常比結(jié)溫要低，因為它受到器件散熱條件的影響。
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在實際應(yīng)用中，結(jié)溫和殼溫之間的差異（ΔTjc = Tj - Tc）是評估器件散熱性能的重要指標(biāo)。這個差異的大小取決于器件的熱阻（Thermal Resistance），熱阻越小，結(jié)溫和殼溫之間的差異就越小，器件的散熱性能就越好。
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! K+ G$ o4 `0 \1 w& E對于QFN4x4-16L封裝的MOSFET芯片，結(jié)溫和殼溫之間的具體差異需要根據(jù)具體的器件型號、使用條件以及散熱設(shè)計來確定。通常，這個差異可以通過熱仿真軟件計算得出，或者通過實驗測量得到。如果沒有具體的數(shù)據(jù)，可以查閱器件的數(shù)據(jù)手冊，里面通常會給出一個大致的熱阻值，從而估算出結(jié)溫和殼溫之間的差異。
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8 ^% x, }) T. C, ]* {+ P, y5 V來自AI（kimi）

一羊遷徙_a

謝謝二樓，我問了度娘，也是類似的回答。
我其實想知道，有沒有哪位大佬有這方面的實測數(shù)據(jù)，QFN封裝的小芯片，殼溫、結(jié)溫的差距有多少度

DianGongN

看廠家數(shù)據(jù)手冊，測量殼溫，用紅外測溫槍，封裝涂黑。計算結(jié)溫

學(xué)者11

: ~4 ?0 j, j+ Y. \* x4 o% T4 T$ H找一個有智商的AI
0 ^: Q. g# k3 f9 g. d# K. r利用MOSFET內(nèi)部的寄生二極管（如果存在的話）或者柵源間電壓(Vgs)的變化來估計結(jié)溫。隨著溫度上升，二極管的正向電壓會下降，而Vgs也會有所變化，這些都可以作為溫度變化的指標(biāo)。不過這種方法同樣需要專門的設(shè)計和測試設(shè)備。
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學(xué)渣渣

QFN4x4-16L，，，這芯片型號是啥？

一羊遷徙_a

學(xué)渣渣 發(fā)表于 2024-9-3 23:45
* Z% u7 j0 }+ B) P8 o. K4 f7 [9 qQFN4x4-16L，，，這芯片型號是啥？

; S" O$ g/ `$ `' V) `0 |; k芯片型號是 SLM6803
3 N( ?% j; R* O, R8 |& G5 m9 ]