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美國黑科技:激光使電子設備不再依賴半導體材料

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發(fā)表于 2016-11-30 12:38:02 | 只看該作者 |倒序瀏覽 |閱讀模式
據(jù)外媒報道,美國加州大學圣地亞哥分校科學家開發(fā)了一種新型微電子設備,未來PC中由半導體材料制造的處理器可能被取而代之。
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這一新技術(shù)還處于早期的開發(fā)階段,但它牽涉一些有趣的研究和頗具科幻色彩的概念。加州大學圣地亞哥分校工程師開發(fā)了一種由光控制的微電子設備,其中包含由金納米管構(gòu)成的超穎表面。受到激光照射后,超穎表面能產(chǎn)生高強度電場。
這種不采用半導體材料的新型微電子設備,有朝一日將解決現(xiàn)代微處理器所面臨的一個難題。處理器依靠電子遷移正常運行,問題是,這些電子會不斷與原子碰撞,其中許多電子可能遷移不到它們的目的地——在處理器運行過程中,許多電子損耗了。
這種新型微電子設備通過“模仿”老式真空管——當然是在微尺度上,嘗試解決這一問題。設備中的蘑菇形狀納米管,在硅晶圓上形成超穎表面,兩者用二氧化硅層隔開。當施加低直流電壓、照射低能量紅外激光時,這一結(jié)構(gòu)就能夠產(chǎn)生高強度電場,使電子能“自由”遷移。
這種試驗性技術(shù)能一次性使更多電子受到控制,受到更少干擾,這意味著采用這一技術(shù)制造的處理器性能將超過當前基于半導體材料的處理器。這一技術(shù)被應用在智能手機中還需要相當長一段時間,但它是解決現(xiàn)代電子設備面臨的一個幾乎無解問題的有趣概念和途徑。
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